图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MJE2955T 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 10A 60V 125W PNP

内部编号

277-MJE2955T

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:5112
1+¥2.5427
25+¥2.3115
100+¥2.2344
500+¥2.1574
1000+¥2.0033
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:5112
1+¥2.5427
25+¥2.3115
100+¥2.2344
500+¥2.1574
1000+¥2.0033
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:15
1+¥229.108
10+¥225.8041
25+¥222.5281
50+¥206.1665
100+¥202.8933
250+¥179.9861
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MJE2955T产品详细规格

规格书 MJE2955T datasheet 规格书
MJE2955T, 3055T
文档 Multiple Devices 19/Jun/2009
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 19/Jun/2009
标准包装 50
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 8V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止(最大) 700µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 20 @ 4A, 4V
功率 - 最大 75W
频率转换 2MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 2MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 8V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止(最大) 700µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-220AB
封装 Tube
功率 - 最大 75W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 20 @ 4A, 4V
其他名称 MJE2955TOS

MJE2955T系列产品

MJE2955T也可以通过以下分类找到

MJE2955T相关搜索

订购MJE2955T.产品描述:Transistors Bipolar - BJT 10A 60V 125W PNP. 生产商: ON Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-62155488
    010-82149466
    010-62153988
    010-57196138
    010-62178861
    010-82149921
    15810325240
    010-82149488
    010-62165661
    010-82149008
    010-56429953
    010-82149028
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-83247615
    0755-83975736
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-68796728
    0512-67684200
    0512-67687578
    0512-67683728
    0512-67483580
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com